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紧贴碳排放目标,富士电机加快下一代IGBT布局

作 者: 来自:2021年第9期"展会报道" 阅读 9407

近年来,随着新能源电力、电动汽车等行业的快速发展,对于核心组件IGBT的需求日益增大。而中国作为全球最大的功率半导体市场,已经成为了国内外厂商必争之地。

身为全球知名的功率半导体提供商,富士电机在功率半导体芯片封装技术以及规模生产上一直走在行业的前沿。在近期深圳PCIM Asia 2021电力电子展上,富士电机展示了面向可再生能源,电动汽车,变频家电,轨道牵引,工业自动化等领域的,最新第七世代X-IGBT、RC-IGBT、SiC (全碳化硅/混合型),并提供了覆盖市场主流以及符合业界未来需求的:Dual-XTSTD HPnCSmall-IPM等封装。

RC-IGBT

SiC模块

其中,第七代产品X 系列IGBTRC-IGBT成为本次富士电机展出的亮点:X 系列IGBT连续最高工作结温可达到175度,输出电流最高可增加30%,并且比上一代产品体积更小,能够帮助逆变器运行功耗降低10%,更好地让整机设备节省能源和电力成本上发挥效应。

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