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Vishay新款25V N沟道功率MOSFET有效提升电源效率和功率密度

作 者: 来自:2017年第0期"展会报道" 阅读 21467

 今天发布的MOSFET采用6mm x 5mm PowerPAK®SO-8封装,是目前最大导通电阻小于0.6mΩ的两颗25V MOSFET之一。与同类器件相比,SiRA20DP的典型栅极电荷更低,只有61nCFOM0.035Ω*nC,低32%。其他25V N沟道MOSFET的导通电阻则要高11%甚至更多。

SiRA20DP的低导通电阻可减小传导功率损耗,提高系统效率,实现更高的功率密度,特别适合冗余电源架构中的OR-ring功能。器件的FOM较低,可提高开关性能,如通信和服务器电源中DC/DC转换,电池系统中的电池切换,以及5V12V输入电源的负载切换。 

这颗MOSFET经过了

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