近年来,在材料生长、器件制备等技术的不断突破下,以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体的性价比优势逐渐显现。 简单来说,第三代半导体具有耐高温、耐高压、高频率、大功率等特点,相比硅基半导体可以降低50%以上的能量损失,同时使装备体积减小75%... [查看详情]